SKM150GB128D — IGBT транзисторный модуль 1200V@200A
31 Июль 2013
-
Сфера применения:
- - Инверторы переменного тока для регулирования скорости в электроприводах;
- - Источники бесперебойного питания;
- - Инверторы сварочных аппаратов с частотами преобразования до 20 кГц.
Технические характеристики
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер Vces: | 2.35 В |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер V(br)ceo: | 1.2 кВ |
| Av Current Ic: | 200 А |
| Корпус транзистора: | SEMITRANS 3 |
| Длина / высота: | 30.5 мм |
| Ширина: | 106.4 мм |
| Количество транзисторов: | 2 |
| Способ монтажа: | Screw |
Хронология
Новости технологий
