Новости

31
июл 13

ZTX1055A - Биполярный транзистор NPN 175V

ZTX1055A - Биполярный транзистор NPN 175V
Технические характеристики RoHS: Соответствует Полярность транзистора: NPN Напряжение коллектор-база (VCBO): 175 V Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 120 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V Максимальный постоянный ток коллектора: 3 A Модуляция частот (fT): 130 MHz Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 275 при 10mA@10V Максимальная рассеиваемая мощность: 1W Вид монтажа: через отверстия Корпус: TO-92 Рабочая температура: ...
31
июл 13

2SK2223-01R — Транзистор MOSFET 80W, N-channel 500V@10A

2SK2223-01R — Транзистор MOSFET 80W, N-channel 500V@10A
Особенности: - Высокая скорость переключения; - Низкое сопротивление; - Отсутствие вторичного пробоя; - Низкая мощность привода; - Высокое напряжение; - VGS= ±30В. Сфера применения: - Регуляторы переключения; - UPS; - DC-DC преобразователи; - Усилители мощности общего назначения. Технические характеристики Тип транзистора: N-channel MOSFET Напряжение Сток-Исток: 500V Напряжение Сток-Ворота: 500V Напряжение Ворота-Источник: ±30V Непрерывный ток ст...
31
июл 13

SKM150GB128D — IGBT транзисторный модуль 1200V@200A

SKM150GB128D — IGBT транзисторный модуль 1200V@200A
Сфера применения: - Инверторы переменного тока для регулирования скорости в электроприводах; - Источники бесперебойного питания; - Инверторы сварочных аппаратов с частотами преобразования до 20 кГц. Технические характеристики Полярность транзистора: N-Channel Напряжение Коллектор-Эмиттер Vces: 2.35 В Напряжение Коллектор-Эмиттер V(br)ceo: 1.2 кВ Av Current Ic: 200 А Корпус транзистора: SEMITRANS 3 Длина / высота: 30.5 мм Ширина: 106.4 мм К...
31
июл 13

RCLAMP0582B — Диод 15-20V, SMD SOT-52

RCLAMP0582B — Диод 15-20V, SMD SOT-52
RailClamp® TVS диод предназначен для защиты чувствительных компонентов, которые связаны с высокой скоростью передачи данных и линий электропередач от перенапряжения, вызванного ESD (электростатический разряд), CDE (кабель разряда событий), и EFT (электрические быстрые переходные процессы). Особенности: - Защита от переходных процессов для высокоскоростных линий передачи данных; - IEC 61000-4-2 (ESD) ±30 kV (воздушный), ±25 kV (контакт); - IEC 61000-4-4 (EFT) 40А (5/5...
31
июл 13

8877/3CX1500A7 - Триод 250 МГц 1500 Вт, 7-контактов

8877/3CX1500A7 - Триод 250 МГц 1500 Вт, 7-контактов
Технические характеристики Поверхность диссипации (Макс.): 1500 Вт Сетка диссипации (Макс.): 25 Вт Частота макс. (CW): 250 МГц Коэффициент усиления: 200 Нити катода: Покрытие оксидом Напряжение: 5.0 В Ток: 10.5 A Емкость (заземлена катодом): - на входе 38.5 Пф - на выходе 0.1 Пф - проходная 10.0 Пф Емкость (заземлена сеткой): - на входе 38.5 Пф - на выходе 10.2 Пф - проходная 0.1 Пф Охлаждение: Воздушное, принудительное База: ...
31
июл 13

2A06 — Блок питания 9VDC@1.1A с установкой на DIN-рейку

2A06 — Блок питания 9VDC@1.1A с установкой на DIN-рейку
Технические характеристики Входное напряжение: 90 - 260 VAC@ 400mA (50/60Hz) 120 - 260 VDC@ 400mA Выходное напряжение: Регулируемое, 9VDC@ 1.1A Соединение: Клеммная колодка 12-24 AWG Индикатор: питания Монтаж: на DIN-рейку, 35мм Размеры: 45 х 114 х 99 мм Рабочая температура: от -40 до 85 С Вес: 250г Перейти к заказу
31
июл 13

D38999/21YC35SN — Цилиндрический разъем Female, 10-контактов

D38999/21YC35SN — Цилиндрический разъем Female, 10-контактов
Технические характеристики Размер: 13 Монтаж: на панель Число контактов: 10 Тип контакта: Socket (Female) Материал контакта: Медный cплав Покрытие контакта: Золото Угол монтажа: Прямой, на панель Номинальный ток: 5 A Вид сопряжения: Самоблокирующийся Материал корпуса: Алюминий Перейти к заказу
30
июл 13

BW-S10W5+ - Фиксированный аттенюатор 50Ом, 5W, 10dB, DC-18000 MHz, SMA Female-Male

BW-S10W5+ - Фиксированный аттенюатор 50Ом, 5W, 10dB, DC-18000 MHz, SMA Female-Male
Особенности: • DC-18000 МГц; • точное затухание; • отличный VSWR, 1.20 тип.; • нержавеющая сталь, SMA Female-Male разъемы. Технические характеристики Диапазон частот: DC-18000 МГц Затухание: 10dB ±0.6 VSWR: DC-4GHz@ 1.20 4-8GHz@ 1.25 8-12.4GHz@ 1.30 Входная мощность: 5W Сопротивление: 50 Ом Разъемы: SMA Female/Male Рабочая температура: от -55 до 100 С Перейти к заказу
30
июл 13

BW-S20W5+ - Фиксированный аттенюатор 50Ом, 5W, 20dB, DC-18000 MHz, SMA Female-Male

BW-S20W5+ - Фиксированный аттенюатор 50Ом, 5W, 20dB, DC-18000 MHz, SMA Female-Male
Особенности: • DC-18000 МГц; • точное затухание; • отличный VSWR, 1.20 тип.; • нержавеющая сталь, SMA Female-Male разъемы. Технические характеристики Диапазон частот: DC-18000 МГц Затухание: 20dB +0.5/-0.8 VSWR: DC-4GHz@ 1.20 4-8GHz@ 1.25 8-12.4GHz@ 1.30 Входная мощность: 5W Сопротивление: 50 Ом Разъемы: SMA Female/Male Рабочая температура: от -55 до 100 С Перейти к заказу
30
июл 13

BW-S3W5+ - Фиксированный аттенюатор 50Ом, 5W, 3dB, DC-18000 MHz, SMA Female-Male

BW-S3W5+ - Фиксированный аттенюатор 50Ом, 5W, 3dB, DC-18000 MHz, SMA Female-Male
Особенности: • DC-18000 МГц; • точное затухание; • отличный VSWR, 1.20 тип.; • нержавеющая сталь, SMA Female-Male разъемы. Технические характеристики Диапазон частот: DC-18000 МГц Затухание: 3dB ±0.4 VSWR: DC-4GHz@ 1.20 4-8GHz@ 1.25 8-12.4GHz@ 1.30 Входная мощность: 5W Сопротивление: 50 Ом Разъемы: SMA Female/Male Рабочая температура: от -55 до 100 С Перейти к заказу
Хронология  Новости технологий