IRF640NLPBF - MOSFET транзисторы от International Rectifier

30 Апрель 2012

Компания International Rectifier выпустила новый силовой полевой транзистор IRF640NLPBF с изолированным затвором и n- каналом. Транзистор выпускается в прочном корпусе TO262, и при больших рабочих токах может крепиться на радиатор. Прибор имеет малое сопротивление в открытом состоянии 150ohm, малый заряд затвора 44.7nC, и невысокий уровень рассеянной мощности 150W. Постоянный ток стока составляет 18A, напряжение пробоя сток-исток - 200V. Изделие сохраняет работоспособность в широком диапазоне температур от - 55°C до + 175°C. Область применения: импульсные источники питания, преобразователи, зарядные устройства. Особенности:
  • Высокая скорость коммутации;
  • Минимальная рассеиваемая мощность;
  • Малый заряд затвора;
  • Внутри полевого транзистора размещен защитный диод;
  • Корпус TO-262.

Сведения о продукте и характеристики

Номенклатурный номер IRF640NLPBF
Производитель International Rectifier
Номенклатурный номер производителя IRF640NLPBF
Описание МОП-транзистор MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

Спецификация

Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 200V
Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20V
Непрерывный ток стока 18A
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 150mOhm
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175°C
Вид монтажа Сквозное отверстие
Корпус TO-262
Время спада 5.5ns
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 6.8S
Заряд затвора, Qg 44.7nC
Минимальная рабочая температура - 55°C
Рассеяние мощности 150W
Время нарастания 19ns
Типичное время задержки выключения: 23ns
RoHS Совместимое
Документация IRF640NLPBF
Перейти к заказу

Хронология  Новости технологий