IRF640N - N-канальный МОП транзистор

IRF640N является силовым полевым транзистором от компании International Rectifier.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между истоком и стоком встроен защитный диод. Устройство имеет низкое тепловое сопротивление, и обладает быстрым переключением. Среди основных характеристик: низкий уровень рассеянной мощности 150W, напряжение пробоя сток-исток 200V, постоянный ток стока 18A. Повышенная прочность конструкции, и надежность способствуют применению полевого транзистора в различных приложениях. Особенности:

• Высокоскоростное переключение;
• Минимальная рассеиваемая мощность;
• Малый заряд затвора;
• Внутри полевого транзистора размещен защитный диод;
• Корпус TO- 220 AB.

Сведения о продукте и характеристики

Номенклатурный номер IRF640N Производитель International Rectifier Номенклатурный номер производителя IRF640N Описание МОП-транзистор MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC Спецификация Полярность транзистора N-Channel Напряжение пробоя сток-исток 200V Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20V Непрерывный ток стока 18A Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 150mOhm Конфигурация Single Максимальная рабочая температура + 175°C Вид монтажа Сквозное отверстие Корпус TO-220AB Время спада 5.5ns Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 6.8S Заряд затвора, Qg 44.7nC Минимальная рабочая температура - 55°C Рассеяние мощности 150W Время нарастания 19ns Типичное время задержки выключения: 23ns RoHS Совместимое Документация IRF640N

Перейти к заказу