IRF640PBF - Транзисторы MOSFET компании Vishay

IRF640PBF – новый силовой полевой n- канальный транзистор  с изолированным затвором от компании Vishay. Транзистор выпускается в прочном корпусе TO-220AB, и при больших токах, может крепиться на небольшой радиатор. Полупроводниковый прибор имеет встроенный между истоком и стоком защитный диод. IRF640PBF разработан для эксплуатации в широком диапазоне температур от - 55°C до + 150°C, имеет небольшое сопротивление в открытом состоянии «исток-сток» 0.18ohm, и максимальное напряжение пробоя сток-исток 200V.  Постоянный ток стока  транзистора - 18A, уровень рассеянной мощности составляет 125W. Изделие предназначено для использования в схемах преобразователей, импульсных источников питания, и зарядных устройствах. Особенности:

• Высокая скорость коммутации;
• Минимальная рассеиваемая мощность;
• Малый заряд затвора;
• Внутри полевого транзистора размещен защитный диод;
• Корпус TO-220AB.

Сведения о продукте и характеристики

Номенклатурный номер IRF640PBF Производитель Vishay Номенклатурный номер производителя IRF640PBF Описание МОП-транзистор N-Chan 200V 18 Amp Спецификация Полярность транзистора N-Channel Напряжение пробоя сток-исток 200V Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20V Непрерывный ток стока 18A Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.18Ohm Конфигурация Single Максимальная рабочая температура + 150°C Вид монтажа Сквозное отверстие Корпус TO-220AB Время спада 36ns Минимальная рабочая температура - 55°C Рассеяние мощности 125W Время нарастания 51ns Типичное время задержки выключения: 45ns RoHS Совместимое Документация IRF640PBF

Перейти к заказу