BC846BLT1G - Маломощный биполярный транзистор структуры n-p-n

28 Март 2012

BC846BLT1G является маломощным биполярным транзистором структуры n-p-n от компании ON Semiconductor. Транзистор изготовлен из полупроводникового материала на основе кремния (Si). BC846BLT1G выпускается в компактном герметичном корпусе SOT-23, имеет три вывода, и применяется для поверхностного монтажа. Прибор обладает номинальным коллекторным током 0.1A, напряжением коллектор – эмиттер 65V, рассеиваемая мощность составляет 300mW. Изделие предназначено для использования в самых широких областях электроники (усилители, инверторы, преобразователи и т.д). Особенности:
  • Напряжение коллектор-эмиттер: 65V;
  • Напряжение эмиттер-база: 6V;
  • Максимальный постоянный ток коллектора: 100mA;
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 200 при 2mA при 5V;
  • Конфигурация: Single;
  • Максимальная рабочая частота: 100MHz;
  • Максимальная рабочая температура: + 150°C;
  • Вид монтажа: SMD/SMT;
  • Непрерывный коллекторный ток: 100mA;
  • Минимальная рабочая температура: - 50°C;
  • Рассеяние мощности: 300mW;
  • Корпус: SOT-23.

Сведения о продукте и характеристики

Номенклатурный номер BC846BLT1G
Производитель ON Semiconductor
Номенклатурный номер производителя BC846BLT1G
Описание TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, SOT23
Мощность рассеивания Pd 300мВт
Постоянный ток коллектора 100мА
Корпус SOT-23
Количество выводов 3
Напряжение коллектор-эмиттер 200В
HFE мин 450

Спецификация

Полярность N-канальный
Ток 0,1A
Количество контактов 3
Упаковка Лента
Корпус SOT-23
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 65
Тип монтажа Для поверхностного монтажа
Рассеяние мощность 0,3W
RoHS Соответствует
Документация BC846BLT1G
Перейти к заказу

Хронология  Новости технологий