BC846BLT1G - Маломощный биполярный транзистор структуры n-p-n
28 Март 2012
BC846BLT1G является маломощным биполярным транзистором структуры n-p-n от компании ON Semiconductor. Транзистор изготовлен из полупроводникового материала на основе кремния (Si). BC846BLT1G выпускается в компактном герметичном корпусе SOT-23, имеет три вывода, и применяется для поверхностного монтажа. Прибор обладает номинальным коллекторным током 0.1A, напряжением коллектор – эмиттер 65V, рассеиваемая мощность составляет 300mW. Изделие предназначено для использования в самых широких областях электроники (усилители, инверторы, преобразователи и т.д).
Особенности:
Перейти к заказу
- Напряжение коллектор-эмиттер: 65V;
- Напряжение эмиттер-база: 6V;
- Максимальный постоянный ток коллектора: 100mA;
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 200 при 2mA при 5V;
- Конфигурация: Single;
- Максимальная рабочая частота: 100MHz;
- Максимальная рабочая температура: + 150°C;
- Вид монтажа: SMD/SMT;
- Непрерывный коллекторный ток: 100mA;
- Минимальная рабочая температура: - 50°C;
- Рассеяние мощности: 300mW;
- Корпус: SOT-23.
Сведения о продукте и характеристики |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Спецификация
|
Хронология
Новости технологий