IRF740 –N – канальный мощный полевой транзистор от VISHAY

31 Авг. 2011

IRF740 – MOSFET транзистор третьего поколения, обеспечивает высокую скорость переключения, имеет повышенную устойчивость, низкое сопротивление во включенном состоянии и оптимальное соотношение цена – эффективность. Универсальный корпус ТО220АВ с низким тепловым сопротивлением позволяет использовать транзистор в коммерческих и промышленных приборах с мощностью рассеивания около 50 Вт. Особенности Большой динамический диапазон dV/dt; Высокая скорость переключения; Удобство при параллельном включении; Простая схема управления.

Общие сведения

Номенклатурный номер IRF740PBF
Производитель Vishay/Siliconix
Краткое описание MOSFET, N – канальный, 400V, 10А, ТО-220АВ
Соответствие директиве RoHS Да
Количество в упаковке 1000
Категория Дискретная полупроводниковая продукция
Семейство FETs – единичные
Серия -
FET тип MOSFET, N – канальный, металл – оксид
Сопротивление канала в открытом состоянии 550 мОм
Напряжение сток – исток (Vdss) 400V
Ток стока (Id) 10А
Заряд затвора 63 нК
Входная емкость 1400 пФ
Максимальная мощность рассеивания 125 Вт
Тип монтажа Сквозное отверстие
Тип корпуса ТО-220-3
Упаковка Труба
Техническая документация Спецификации
Перейти к заказу

Хронология  Новости технологий