IRF740 –N – канальный мощный полевой транзистор от VISHAY
31 Авг. 2011
IRF740 – MOSFET транзистор третьего поколения, обеспечивает высокую скорость переключения, имеет повышенную устойчивость, низкое сопротивление во включенном состоянии и оптимальное соотношение цена – эффективность. Универсальный корпус ТО220АВ с низким тепловым сопротивлением позволяет использовать транзистор в коммерческих и промышленных приборах с мощностью рассеивания около 50 Вт.
Особенности
Большой динамический диапазон dV/dt;
Высокая скорость переключения;
Удобство при параллельном включении;
Простая схема управления.
Перейти к заказу
Общие сведения |
|
Номенклатурный номер | IRF740PBF |
Производитель | Vishay/Siliconix |
Краткое описание | MOSFET, N – канальный, 400V, 10А, ТО-220АВ |
Соответствие директиве RoHS | Да |
Количество в упаковке | 1000 |
Категория | Дискретная полупроводниковая продукция |
Семейство | FETs – единичные |
Серия | - |
FET тип | MOSFET, N – канальный, металл – оксид |
Сопротивление канала в открытом состоянии | 550 мОм |
Напряжение сток – исток (Vdss) | 400V |
Ток стока (Id) | 10А |
Заряд затвора | 63 нК |
Входная емкость | 1400 пФ |
Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
Тип монтажа | Сквозное отверстие |
Тип корпуса | ТО-220-3 |
Упаковка | Труба |
Техническая документация | Спецификации |
Хронология
Новости технологий