IRF740 –N – канальный мощный полевой транзистор от VISHAY
31 Авг. 2011
IRF740 – MOSFET транзистор третьего поколения, обеспечивает высокую скорость переключения, имеет повышенную устойчивость, низкое сопротивление во включенном состоянии и оптимальное соотношение цена – эффективность. Универсальный корпус ТО220АВ с низким тепловым сопротивлением позволяет использовать транзистор в коммерческих и промышленных приборах с мощностью рассеивания около 50 Вт.
Особенности
Большой динамический диапазон dV/dt;
Высокая скорость переключения;
Удобство при параллельном включении;
Простая схема управления.
Перейти к заказу
|
Общие сведения |
|
| Номенклатурный номер | IRF740PBF |
| Производитель | Vishay/Siliconix |
| Краткое описание | MOSFET, N – канальный, 400V, 10А, ТО-220АВ |
| Соответствие директиве RoHS | Да |
| Количество в упаковке | 1000 |
| Категория | Дискретная полупроводниковая продукция |
| Семейство | FETs – единичные |
| Серия | - |
| FET тип | MOSFET, N – канальный, металл – оксид |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 550 мОм |
| Напряжение сток – исток (Vdss) | 400V |
| Ток стока (Id) | 10А |
| Заряд затвора | 63 нК |
| Входная емкость | 1400 пФ |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Тип корпуса | ТО-220-3 |
| Упаковка | Труба |
| Техническая документация | Спецификации |
Хронология
Новости технологий
