RD07MVS1 — MOSFET транзистор от компании Mitsubishi
rd07mvs1
Представляемое изделие RD07MVS1 от компании Mitsubishi, является транзистором типа MOSFET (металл-диэлектрик-полупроводник), который специально разработан для применения в портативной электронике, VHF / UHF РФ приложениях, а также, в выходных каскадах усилителей мощности. Изделие соответствует директиве RoHS и относится к группе высокочастотных полупроводников.
- Особенности:
- Высокий коэффициент усиления:
- Выходная мощность более 7W, Gp> 10dB @ Vdd = 7,2 В
- Рабочая частота 175 МГц — 520 МГц
- Высокая эффективность: 60% тип. (175 МГц)
- Высокая эффективность: 55% тип. (520 МГц).
| Общие сведения | |
| Номенклатурный номер | RD07MVS1 |
| Производитель | Mitsubishi |
| Номенклатурный номер производителя | RD07MVS1 |
| Краткое описание | MOSFET, Si 520MHz 7W 7, 2V SLP |
| Соответствие директиве RoHS | Да |
| Количество в упаковке | 25 |
| Категория | Полупроводники |
| Семейство | MOSFET транзисторы |
| Серии | — |
| Тип | MOSFET (металл-диэлектрик-полупроводник), |
| Максимальная мощность | 7W |
| Монтажный Тип | Сквозное отверстие |
| Упаковка | Лента |
| Техническая документация | Спецификации |
RD16HHF1 (rd16hhf1) — СВЧ транзисторы от MITSUBISHI ELECTRIC
rd16hhf1
Описание (rd16hhf1):
Транзисторы RD16HHF1 типа MOS FET специально
предназначены для использования в HF РФ усилителях мощности.
Применение (rd16hhf1):
Для выходного каскада усилителей высокой мощности в
КВ диапазоне мобильных радиостанций.
Кремниевые RD16HHF1 MOSFET ВЧ транзисторы применяются как разно частотные и высокочастотные усилители мощности в мобильных устройствах, например телефонах.
Силовые транзисторы выполнены по Trench-технологии 0,35 мкм и предназначены для управления электродвигателями различных грузоподъёмных средств и автономных электрических погрузчиков. Транзисторы имеют малое сопротивление в открытом состоянии, малые потери, защищены от перегрева, не требуют снабберных цепей и отличаются высокой надёжностью и производительностью.
| Общие сведения | |
|---|---|
| Код продукта | RD16HHF1 |
| Производитель | Mitsubishi Electric |
| Код производителя | RD16HHF1 |
| Краткое описание | RF Power Transistor, 0.01 to 1 GHz, 16 W, 16 dB, 12.5 V, Silicon |
| Материал изготовления | Кремний (Si) |
| Выходная мощность | >16W |
| Коэффициент усиления | >16dB |
| Напряжение питания | 12.5V |
| Частота | 30MHz |
| Техническая документация | |
