ICE2A365 – Регулятор тока от Infineon Technologies

Автор nikolay | Дата: 28 Декабрь 2011 · Прокомментировать 

CoolSET ™-F2 второго поколения предоставляет несколько специальных аксессуаров для удовлетворения потребности в маломощных резервных источниках питания и функции защиты. Снижение частоты в режиме ожидания также используется и для снижения энергопотребления и поддержки стабильного выходного напряжения.  Частота ограничена диапазоном 20kHz/21.5кГц воизбежание акустического шума. В случае отказов, таких как перенапряжение, или перегрузка из-за короткого замыкания, устройство переключается в режим Auto Restart, который контролируется внутренним блоком защиты. С помощью внутреннего пикового тока, мощность трансформатора и диода может быть ниже, что приводит к большей экономической эффективности для системы в целом.

Особенности:

  • 650V/800V CoolMOS ™;
  • Для управления необходимо только несколько внешних компонентов;
  • Частота коммутации 67kHz/100kHz;
  • Максимальный рабочий цикл 72%;
  • Снижение мощности в режиме ожидания в соответствии с европейскими требованиями;
  • Тепловая защита;
  • Защита от перегрузки;
  • Защита от перенапряжения во время Auto Restart;
  • Регулируемое ограничение пикового тока с помощью внешнего резистора;
  • Общий допуск ограничения по току < ± 5%;
  • Мягкий старт;
  • Мягкое управление с низким EMI.


Общие сведения
Номенклатурный номер ICE2A365
Производитель Infineon Technologies
Номенклатурный номер производителя ICE2A365
Краткое описание IC OFFLINE CTRLR SMPS CM 8DIP
Соответствие директиве RoHS Да
Количество в упаковке 2000
Категория Интегральные схемы
Семейство AC/DC конвертеры
Серии CoolSET®F2
Изоляция выхода Изолированный
Частотный диапазон 93 ~ 107кГц
Входное напряжение 8.5 ~ 22V
Выходное напряжение 650V
Мощность 67W
Температурный диапазон -40°C ~ +150°C
Тип монтажа Через отверстия
Корпус 8-DIP
Другие названия ICE2A365IN, ICE2A365X, ICE2A365XK, ICE2A365XTIN, ICE2A365XTIN-ND, SP000013504
Техническая документация Спецификации

BA 885 E6327 – Регулируемые резистивные диоды

Автор nikolay | Дата: 16 Декабрь 2011 · Прокомментировать 

ПИН-диод это разновидность диода, в котором между областями электронной и дырочной проводимости находится собственный нелегированный полупроводник И-область. ПИН-диод является плохим выпрямителем из-за широкой И-области. При работе в режиме сильной инжекции проявляются качества ПИН-диода, когда И-область заполняется носителями заряда из сильнолегированных Н и П областей, к которым прикладывается прямое смещение напряжения. Из-за того, что в И-области очень низкая концентрация носителей заряда, там практически отсутствуют процессы рекомбинации во время инжекции. Как правило, ПИН-диоды предназначены для работы в сантиметровом диапазоне волн и используются в аттенюаторах, быстрых переключателях, фотодетекторах, а также в высоковольтной электронике.

Особенности:

  • Диапазон частот от 1МГц до 2ГГц;
  • Особенно полезны в качестве переключателя антенны в ТВ-тюнерах;
  • Очень низкие гармоники;
  • Квалифицированные по AEC Q101;
  • Не содержит свинца, соответствует директиве RoHS.


Общие сведения
Номенклатурный номер BA 885 E6327
Производитель Infineon Technologies
Номенклатурный номер производителя BA 885 E6327
Краткое описание DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23
Соответствие директиве RoHS Да
Количество в упаковке 3000
Категория Дискретные полупроводники
Семейство Высокочастотные диоды
Серии —
Тип диода PIN — одиночный
Максимальное обратное напряжение 50V
Ток в прямом направлении 50mA
Емкость 0.6pF при 10V, 1MHz
Сопротивление при If, F 7Ом при 10mA, 100MHz
Частотный диапазон MF, HF, VHF, UHF
Время жизни носителей 1.6µ
Падение напряжения в прямом направлении 1.1V
Температурный диапазон -55°C ~ +125°C
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Корпус SOT-23
Другие названия BA885E6327XT, SP000010151
Техническая документация Спецификации

PEB22504HT-V11 – Четырехканальный линейный интерфейсный блок для E1/T1/J1

Автор nikolay | Дата: 22 Ноябрь 2011 · Прокомментировать 

PEB22504HT-V11 — это четырехканальный линейный интерфейс для дальнемагистральных или ближнемагистральных устройств, соответствующих стандартам E1, T1 и J1. QuadLIU ™ поставляется в корпусе высокой плотности формовки, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD), чтобы сохранить значительное количество места на плате. Значительно меньшее затухания линии только с одним источником задающего генератора еще больше снижает количество необходимых внешних компонентов.

Применение:

  • Беспроводные базовые станции;
  • Торговые автоматы;
  • CSUs, DSUs;
  • Оборудование для доступа в интернет;
  • LAN / WAN маршрутизаторы;
  • ISDN-PRI, PABX;
  • SDH / SONET мультиплексоры ввода / вывода.

Особенности:

  • Интерфейс с высокой плотностью для всех устройств E1/T1/J1;
  • Четыре аналоговых приемника и передатчика для длинных и коротких магистралей;
  • Интегрированная цифровая автоподстройка частоты;
  • Максимальное затухание линии до -36дБ на частоте 1024кГц (E1) и до -36дБ на частоте 772кГц (T1/J1);
  • Фильтр шума и перекрестных помех.


Общие сведения
Номенклатурный номер PEB22504HT-V11
Производитель Infineon Technologies
Номенклатурный номер производителя PEB22504HT-V11
Краткое описание IC INTERFACE QUAD 100-TQFP
Соответствие директиве RoHS Да
Количество в упаковке 90
Категория Интегральные схемы
Семейство Специальные интерфейсы
Серии —
Напряжение питания 3.3V
Рабочая температура -40°C ~ +85°C
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Корпус 100-LQFP
Другие названия PEB22504HT-V11-ND, PEB22504HT-V11IN
Техническая документация Спецификации

BUZ73 (buz 90) – N-канальные МОП-транзисторы SIPMOS® 200V, 7A

Автор nikolay | Дата: 15 Сентябрь 2011 · Прокомментировать 

Управление электропитанием для телекоммуникации и систем обработки информации оказывается перед проблемой роста предъявляемых требований, более высокой эффективности и низкой стоимости SMPS. Решение может быть найдено в использовании MOSFET транзисторов низкого напряжения серии SIPMOS® (buz 90), демонстрирующих превосходное сочетание самого низкого сопротивления во «включенном» состоянии и наилучших рабочих характеристик мощности при переключении.

Особенности (buz 90):

  • N-канальный;
  • Усилительный;
  • Номинальная лавинная характеристика;
  • Не содержит свинца, соответствует директиве RoHS.


Общие сведения
Номенклатурный номер BUZ73
Производитель Infineon Technologies
Номенклатурный номер производителя BUZ73
Краткое описание MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
Соответствие директиве RoHS Да
Количество в упаковке 500
Категория Дискретные полупроводники
Семейство Полевые транзисторы-одиночные
Серии SIPMOS®
Тип полевого транзистора N-канальный
Особенности полевого транзистора Стандарт
Rds On (Max) при Id, Vgs 400 мОм при 4.5A, 10V
Дренаж напряжения питания 200V
Ток непрерывной утечки (Id) при 25° C 7A
Vgs (th) (Max) при Id 4V при 1mA
Заряд затвора (Qg) при Vgs —
Входная емкость при Vds 530pF при 25V
Мощность максимальная 40 W
Рабочая температура -55°C ~ 150°C
Тип монтажа Через отверстия
Корпус PG-TO220-3
Другие названия BUZ73IN, BUZ73X, BUZ73XK, BUZ73XTIN, BUZ73XTIN-ND, SP000011372
Техническая документация Спецификации

SIDC10D120H6 – диоды от Infineon Technologies

Автор nikolay | Дата: 26 Июль 2011 · Прокомментировать 

idc10

SIDC10D120H6 это высокоскоростные диодный чипы, выполненные по технологии EMCON-Technology прямой полярности. Диодный чип  используется в EUPEC модулях питания и дискретных устройствах в целях коммутации, управления, в ограничительных и развязывающих цепях. Пиковое обратное напряжение диодного чипа 1200 В при компактных размерах корпуса 3.2 x 3.2 мм2. Изделие предназначено для поверхностного монтажа.
Особенности:
1200V EMCON технология кристалла 120 мкм
Быстрое восстановление
Низкий заряд обратного восстановления
Малый температурный коэффициент



Общие сведения
Номенклатурный номер SIDC10D120H6-ND
Производитель Infineon Technologies
Номенклатурный номер производителя SIDC10D120H6
Краткое описание DIODE FAST SW 1200V 15A WAFER
Соответствие директиве RoHS Нет
Количество в упаковке 1
Категория Дискретные полупроводники
Семейство Диоды, Выпрямители
Серия —
Прямое напряжение (Vf) (Max) @ If 1,6 В @ 15A
Обратное напряжение (Vr) (макс.) 1200 (1.2kV)
Средний выпрямленный ток (Io) 15А (DC)
Обратный ток утечки @ Vr 27μA @ 1200
Тип диода Стандарт
Скорость Стандартное восстановление> 500нс,> 200mA (Io)
Время обратного восстановления (TRR) —
Емкость @ Vr, F —
Тип монтажа Для поверхностного монтажа
Упаковка / корпус Пластина
Тип корпуса Фольга
Упаковка Блок
Другое название SP000013220
Документация Спецификации

SIDC10D120H6 – диоды от Infineon Technologies в каталоге Abtronics

Размещено в Infineon Technologies, Последние поступления · Метки: ,