IRF640PBF - Транзисторы MOSFET компании Vishay

27 Апрель 2012

IRF640PBF – новый силовой полевой n- канальный транзистор  с изолированным затвором от компании Vishay. Транзистор выпускается в прочном корпусе TO-220AB, и при больших токах, может крепиться на небольшой радиатор. Полупроводниковый прибор имеет встроенный между истоком и стоком защитный диод. IRF640PBF разработан для эксплуатации в широком диапазоне температур от - 55°C до + 150°C, имеет небольшое сопротивление в открытом состоянии «исток-сток» 0.18ohm, и максимальное напряжение пробоя сток-исток 200V.  Постоянный ток стока  транзистора - 18A, уровень рассеянной мощности составляет 125W. Изделие предназначено для использования в схемах преобразователей, импульсных источников питания, и зарядных устройствах. Особенности:
  • Высокая скорость коммутации;
  • Минимальная рассеиваемая мощность;
  • Малый заряд затвора;
  • Внутри полевого транзистора размещен защитный диод;
  • Корпус TO-220AB.

Сведения о продукте и характеристики

Номенклатурный номер IRF640PBF
Производитель Vishay
Номенклатурный номер производителя IRF640PBF
Описание МОП-транзистор N-Chan 200V 18 Amp

Спецификация

Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 200V
Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20V
Непрерывный ток стока 18A
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.18Ohm
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150°C
Вид монтажа Сквозное отверстие
Корпус TO-220AB
Время спада 36ns
Минимальная рабочая температура - 55°C
Рассеяние мощности 125W
Время нарастания 51ns
Типичное время задержки выключения: 45ns
RoHS Совместимое
Документация IRF640PBF
Перейти к заказу