IRF640NS - Power MOSFET транзисторы в D2-Pak корпусе

27 Апрель 2012

IRF640NS – Силовой n- канальный транзистор с изолированным затвором компании International Rectifier. IRF640NS выпускается в корпусе TO-262, имеет три вывода, и может монтироваться на теплоотвод. Полупроводниковый прибор обладает высоким сопротивлением «исток-затвор», между истоком и стоком встроен защитный диод. Постоянный ток протекания стока составляет 18A, напряжение пробоя сток-исток - 200V, рассеяние мощности 150W. Изделие характеризуется широким рабочим диапазоном температур, который составляет -55°C…+175°C. Крутизна в прямом направлении составляет 6.8 S, заряд затвора 44.7nC. IRF640NS предназначен для использования в схемах импульсных источников питания, зарядных устройствах, преобразователях, и т.д. Особенности:
  • Высокая скорость коммутации;
  • Минимальная рассеиваемая мощность;
  • Малый заряд затвора;
  • Внутри полевого транзистора имеется защитный диод;
  • Корпус TO-262.

Сведения о продукте и характеристики

Номенклатурный номер IRF640NS
Производитель International Rectifier
Номенклатурный номер производителя IRF640NS
Описание МОП-транзистор MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

Спецификация

Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток 200V
Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20V
Непрерывный ток стока 18A
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 150mOhm
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175°C
Вид монтажа Сквозное отверстие
Корпус TO-262
Время спада 5.5ns
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 6.8S
Заряд затвора, Qg 44.7nC
Минимальная рабочая температура - 55°C
Рассеяние мощности 150W
Время нарастания 19ns
Типичное время задержки выключения: 23ns
RoHS Совместимое
Документация IRF640NS
Перейти к заказу