IRF640NS - Power MOSFET транзисторы в D2-Pak корпусе

IRF640NS – Силовой n- канальный транзистор с изолированным затвором компании International Rectifier. IRF640NS выпускается в корпусе TO-262, имеет три вывода, и может монтироваться на теплоотвод. Полупроводниковый прибор обладает высоким сопротивлением «исток-затвор», между истоком и стоком встроен защитный диод. Постоянный ток протекания стока составляет 18A, напряжение пробоя сток-исток - 200V, рассеяние мощности 150W. Изделие характеризуется широким рабочим диапазоном температур, который составляет -55°C…+175°C. Крутизна в прямом направлении составляет 6.8 S, заряд затвора 44.7nC. IRF640NS предназначен для использования в схемах импульсных источников питания, зарядных устройствах, преобразователях, и т.д. Особенности:

• Высокая скорость коммутации;
• Минимальная рассеиваемая мощность;
• Малый заряд затвора;
• Внутри полевого транзистора имеется защитный диод;
• Корпус TO-262.

Сведения о продукте и характеристики

Номенклатурный номер IRF640NS Производитель International Rectifier Номенклатурный номер производителя IRF640NS Описание МОП-транзистор MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC Спецификация Полярность транзистора N-Channel Напряжение пробоя сток-исток 200V Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20V Непрерывный ток стока 18A Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 150mOhm Конфигурация Single Максимальная рабочая температура + 175°C Вид монтажа Сквозное отверстие Корпус TO-262 Время спада 5.5ns Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 6.8S Заряд затвора, Qg 44.7nC Минимальная рабочая температура - 55°C Рассеяние мощности 150W Время нарастания 19ns Типичное время задержки выключения: 23ns RoHS Совместимое Документация IRF640NS

Перейти к заказу