IRL2505PBF – Мощные MOSFET транзисторы HEXFET®, 55 V, 104 A

31 Дек. 2011

Пятое поколение МОП-транзисторов серии HEXFET® от International Rectifier изготовлено по передовой технологии обработки для достижения малого сопротивления, что в сочетании с высокой прочностью конструкции, позволяет использовать их во многих устройствах. Корпус TO-220 обеспечивает рассеивание мощности приблизительно до 50 W и является предпочтительным для торгово-промышленных устройств. Сниженное тепловое сопротивление и дешевизна корпуса TO-220 способствует его широкому использованию в различных отраслях. Особенности:
  • Передовая технология;
  • Ультра малое сопротивление;
  • Динамический DV/DT;
  • Рабочая температура 175°C;
  • Быстрое переключение;
  • Полностью лавинная характеристика;
  • Соответствие директиве RoHS 2002/95/EC.

Общие сведения

Номенклатурный номер IRL2505PBF
Производитель International Rectifier
Номенклатурный номер производителя IRL2505PBF
Краткое описание MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
Соответствие директиве RoHS Да
Количество в упаковке 50
Категория Дискретные полупроводники
Семейство Полевые транзисторы - одиночные
Серии HEXFET®
Тип полевого транзистора MOSFET N-канальный
Особенности полевого транзистора Стандарт
Сопротивление сток-исток Rds вкл при Id, Vgs 8мОм при 54A, 10V
Напряжение пробоя сток-исток 55V
Напряжение пробоя затвор-исток 16V
Непрерывный ток стока (Id) при 25° C 104A
Vgs(th) (Max) при Id 2V при 250µA
Заряд затвора (Qg) при Vgs 130nC при 5V
Входная емкость при Vds 5000pF при 25V
Мощность максимальная 200W
Температурный диапазон -55°C ~ +175°C
Тип монтажа Через отверстия
Корпус TO-220-3
Другие названия *IRL2505PBF
Техническая документация Спецификации
Перейти к заказу

Хронология  Новости технологий