IRL2505PBF – Мощные MOSFET транзисторы HEXFET®, 55 V, 104 A
31 Дек. 2011
Пятое поколение МОП-транзисторов серии HEXFET® от International Rectifier изготовлено по передовой технологии обработки для достижения малого сопротивления, что в сочетании с высокой прочностью конструкции, позволяет использовать их во многих устройствах.
Корпус TO-220 обеспечивает рассеивание мощности приблизительно до 50 W и является предпочтительным для торгово-промышленных устройств. Сниженное тепловое сопротивление и дешевизна корпуса TO-220 способствует его широкому использованию в различных отраслях.
Особенности:
Перейти к заказу
- Передовая технология;
- Ультра малое сопротивление;
- Динамический DV/DT;
- Рабочая температура 175°C;
- Быстрое переключение;
- Полностью лавинная характеристика;
- Соответствие директиве RoHS 2002/95/EC.
Общие сведения |
|
Номенклатурный номер | IRL2505PBF |
Производитель | International Rectifier |
Номенклатурный номер производителя | IRL2505PBF |
Краткое описание | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB |
Соответствие директиве RoHS | Да |
Количество в упаковке | 50 |
Категория | Дискретные полупроводники |
Семейство | Полевые транзисторы - одиночные |
Серии | HEXFET® |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-канальный |
Особенности полевого транзистора | Стандарт |
Сопротивление сток-исток Rds вкл при Id, Vgs | 8мОм при 54A, 10V |
Напряжение пробоя сток-исток | 55V |
Напряжение пробоя затвор-исток | 16V |
Непрерывный ток стока (Id) при 25° C | 104A |
Vgs(th) (Max) при Id | 2V при 250µA |
Заряд затвора (Qg) при Vgs | 130nC при 5V |
Входная емкость при Vds | 5000pF при 25V |
Мощность максимальная | 200W |
Температурный диапазон | -55°C ~ +175°C |
Тип монтажа | Через отверстия |
Корпус | TO-220-3 |
Другие названия | *IRL2505PBF |
Техническая документация | Спецификации |
Хронология
Новости технологий