IRF540NPBF – Мощные MOSFET транзисторы HEXFET®, 100V, 33A

30 Дек. 2011

IRF540NPBF - это мощные МОП-транзисторы серии HEXFET® производства International Rectifier, при изготовлении которых используется передовая технология обработки для достижения малого сопротивления. Особенностью конструкции этих транзисторов является улучшенная лавинная характеристика, высокая скорость переключения и возможность функционирования при температуре 175°С. Эти особенности, и повышенная прочность конструкции устройства, позволяет применять их в различных отраслях промышленности. Для всех торгово-промышленных устройств предпочтителен корпус TO-220 с уровнем рассеиваемой мощности до 50 Вт. Малое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 обуславливает его широкое использование в отрасли. Особенности:
  • Передовая технология;
  • Ультра малое сопротивление;
  • Динамический DV/DT;
  • Рабочая температура 175°C;
  • Быстрое переключение;
  • Полностью лавинная характеристика;
  • Соответствие директиве RoHS 2002/95/EC.

Общие сведения

Номенклатурный номер IRF540NPBF
Производитель International Rectifier
Номенклатурный номер производителя IRF540NPBF
Краткое описание MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
Соответствие директиве RoHS Да
Количество в упаковке 50
Категория Дискретные полупроводники
Семейство Полевые транзисторы - одиночные
Серии HEXFET®
Тип полевого транзистора MOSFET N-канальный
Особенности полевого транзистора Стандарт
Сопротивление сток-исток Rds вкл при Id, Vgs 44мОм при 16A, 10V
Напряжение пробоя сток-исток 100V
Напряжение пробоя затвор-исток 20V
Непрерывный ток стока (Id) при 25° C 33A
Vgs(th) (Max) при Id 4V при 250µA
Заряд затвора (Qg) при Vgs 71nC при 10V
Входная емкость при Vds 1960pF при 25V
Мощность максимальная 130W
Температурный диапазон -55°C ~ +175°C
Тип монтажа Через отверстия
Корпус TO-220-3
Другие названия *IRF540NPBF
Техническая документация Спецификации
Перейти к заказу

Хронология  Новости технологий