IRFP064VPBF – Мощные МОП-транзисторы HEXFET, N-канальные

01 Окт. 2011

Мощные МОП-транзисторы серии HEXFET® используют передовые технологии обработки для достижения крайне малого сопротивления. Это преимущество, в сочетании с высокой скоростью переключения и повышенной прочности конструкции устройства, позволяет использовать их в широком спектре устройств. TO-247 корпус является предпочтительным для торгово-промышленных устройств, где более высокие уровни мощности исключают возможность использования корпуса типа TO-220. Особенности: Передовая технология; Ультра малое сопротивление; Очень высокий DV / DT; Высокая скорость переключения; Рабочая температура 175В°C; Оптимизирован для SMPS устройств; Соответствие директиве RoHS 2002/95/EC.

Общие сведения

Номенклатурный номер IRFP064VPBF
Производитель International Rectifier
Номенклатурный номер производителя IRFP064VPBF
Краткое описание MOSFET N-CH 60V 130A TO-247AC
Соответствие директиве RoHS Да
Количество в упаковке 25
Категория Дискретные полупроводники
Семейство Полевые транзисторы - одиночные
Серии HEXFET®
Тип полевого транзистора MOSFET N-канальный
Особенности полевого транзистора Стандарт
Сопротивление сток-исток Rds вкл при Id, Vgs 5.5мОм при 78A, 10V
Напряжение пробоя сток-исток 60V
Напряжение пробоя затвор-исток 20V
Непрерывный ток стока (Id) при 25° C 130A
Vgs(th) (Max) при Id 4V при 250µA
Заряд затвора (Qg) при Vgs 260nC при 10V
Входная емкость при Vds 6760pF при 25V
Время нарастания 200ns
Время спада 150ns
Мощность максимальная 250W
Температурный диапазон -55°C ~ +175°C
Тип монтажа Через отверстия
Корпус TO-247-3 (TO-247AC)
Другие названия *IRFP064VPBF
Техническая документация Спецификации
Перейти к заказу

Хронология  Новости технологий