Новые DirectFET транзисторы от IR
Новые транзисторы DirectFET от компании International Rectifier имеют ультранизкое значение заряда затвора и сопротивление канала RDS (on). Это приводит к качественному уменьшению потерь на проводимость и переключение. Транзисторы IRF6798MPBF и IRF6706S2PBF могут обеспечить достаточно высокую производительность синхронных DC-DC преобразователей, имеющих входное напряжение до 12В. Такие преобразователи с успехом используются в коммуникационном и серверном оборудовании, в настольных ПК и ноутбуках. В транзисторах применена кремниевая MOSFET технология самого последнего поколения, 25-вольтовые транзисторы IRF6798MPBF и IRF6706S2PBF имеют лучшие показатели качества с отличными тепловыми параметрами DirectFET корпуса и динамическими характеристиками. IRF6798MPBF в корпусе DirectFET Medium Can c сопротивлением канала в открытом состоянии один мега Ом имеет очень высокий КПД во всем нагрузочном диапазоне. Изделие имеет встроенный диод Шоттки, такая компоновка приводит к уменьшению потерь на обратное восстановление. Помимо этого, изделие имеет малое значение сопротивления затвора (0.25 Ом), что способствует уменьшению различных паразитных эффектов. Транзистор IRF6706S2PBF выполнен в корпусе Small Can и также имеет отличные статические и динамические характеристики.
Источник: irf.com
