IRLML6402PBFCT (irlml6402) – полевые MOSFET транзисторы от International Rectifier
IRLML6402PBFCT
Это новые транзисторы (irlml6402) от International Rectifier, данные MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors) полупроводники предназначены для обработки аналоговых и смешанных сигналов (High-Voltage/Low-Voltage Analog and Mixed Signal Integrated Circuits, HVIC/LVIC), изделия используются наряду с диодами и транзисторами общего применения, и являются одними из самых востребованных элементов в современной электронике. Эти транзисторы (irlml6402) применяются в системах управления питанием (Power Management Devices, PMD), DC/DC-преобразователях, а также в широком спектре стандартных и заказных компонентов специального назначения.
Особенности:
- Ультра малое сопротивление
- P-канальный MOSFET
- SOT-23 Footprint
- Низкий профиль (<1,1 мм)
- Доступный в лентах и катушках
- Быстрое переключение
- Галогенные
| Общие сведения | |
| Номенклатурный номер | IRLML6402PBFCT |
| Производитель | International Rectifier |
| Номенклатурный номер производителя | IRLML6402TRPBF |
| Краткое описание | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 |
| Соответствие директиве RoHS | Да |
| Количество в упаковке | 1 |
| Категория | Дискретные полупроводники |
| Семейство | Полевые транзисторы |
| Серия | HEXFET® |
| FET тип | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET функция | Logic Level Gate |
| Rds (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Ток непрерывной утечки (Id) @ 25° C | 3.7A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Упаковка | Отрезная лента |
| Монтажный тип | Для поверхностного монтажа |
| Входная емкость (Ciss) @ Vds | 633pF @ 10V |
| Мощность, макс. | 1.3W |
| Технические характеристики | Спецификации |
